DSS8110Y datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DSS8110Y  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 150

Корпус транзистора: SOT363

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для DSS8110Y

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DSS8110Y даташит

 ..1. Size:210K  diodes
 dss8110y.pdf pdf_icon

DSS8110Y

DSS8110Y 100V NPN LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT363 Features Mechanical Data BVCEO > 100V Case SOT363 IC = 1A high Continuous Collector Current Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. ICM = 3A Peak Pulse Current UL Flammability Classification Rating 94V-0 RCE(sat) = 200m for a Low Equivalent On-Resistance Moisture Sensitivit

Другие транзисторы: DPLS160, DPLS160V, DSS4160U, DSS4160V, DSS5160U, DSS5160V, DSS60600MZ4, DSS60601MZ4, BC556, DSS9110Y, DXT2010P5, DXT2011P5, DXT2013P5, DXT2907A, DXT651, DXT751, DXTN07100BP5