DXT651 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DXT651  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT89-3L

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для DXT651

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DXT651 даташит

 ..1. Size:185K  diodes
dxt651.pdfpdf_icon

DXT651

DXT651 60V NPN LOW VCE(sat) TRANSISTOR IN SOT89 Features Mechanical Data BVCEO > 60V Case SOT89 IC = 3A high Continuous Current Case material Molded Plastic. Green Molding Compound. Low saturation voltage VCE(sat)

Другие транзисторы: DSS60600MZ4, DSS60601MZ4, DSS8110Y, DSS9110Y, DXT2010P5, DXT2011P5, DXT2013P5, DXT2907A, 2N2907, DXT751, DXTN07100BP5, DZT2907A, DZT491, DZT591C, DZT651, DZT851, DZT951