DZT651 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DZT651  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT223

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для DZT651

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DZT651 даташит

 ..1. Size:142K  diodes
 dzt651.pdf pdf_icon

DZT651

DZT651 LOW VCE(SAT) NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR Please click here to visit our online spice models database. Features Epitaxial Planar Die Construction 3 Complementary PNP Type Available (DZT751) 2 1 Ideally Suited for Automated Assembly Processes Ideal for Medium Power Switching or Amplification Applications Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1)

 9.1. Size:137K  diodes
 dzt658.pdf pdf_icon

DZT651

NOT RECOMMENDED FOR NEW DESIGN USE FZT658 DZT658 NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features Epitaxial Planar Die Construction 3 Ideally Suited for Automated Assembly Processes 2 1 Ideal for Medium Power Switching or Amplification Applications Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1) "Green" Device (Note 2) 4 SOT-223 Mechanical Data COLLECTOR 2,4

Другие транзисторы: DXT2013P5, DXT2907A, DXT651, DXT751, DXTN07100BP5, DZT2907A, DZT491, DZT591C, MJE350, DZT851, DZT951, DZT953, FCX1053A, FCX493, FCX593, FMMT493A, FMMT620