DZT851 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DZT851  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 130 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT223

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для DZT851

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DZT851 даташит

 ..1. Size:176K  diodes
 dzt851.pdf pdf_icon

DZT851

DZT851 NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features Epitaxial Planar Die Construction Complementary PNP Type Available (DZT951) Ideally Suited for Automated Assembly Processes Ideal for Medium Power Switching or Amplification Applications Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1) "Green" Device (Note 2) Mechanical Data SOT-223 Case SOT-223 COLLECT

 9.1. Size:179K  diodes
 dzt853.pdf pdf_icon

DZT851

DZT853 NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features Epitaxial Planar Die Construction Complementary PNP Type Available (DZT953) Ideally Suited for Automated Assembly Processes Ideal for Medium Power Switching or Amplification Applications Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1) "Green" Device (Note 2) SOT-223 Mechanical Data COLLECTOR Case SOT-22

Другие транзисторы: DXT2907A, DXT651, DXT751, DXTN07100BP5, DZT2907A, DZT491, DZT591C, DZT651, D882P, DZT951, DZT953, FCX1053A, FCX493, FCX593, FMMT493A, FMMT620, 2SB1412-Q