FJB3307D. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: FJB3307D
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8
Корпус транзистора: TO263
Аналоги (замена) для FJB3307D
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
FJB3307D даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: 2SC5200, BDW94CF, FJA13009, FJA4210, FJA4213, FJA4310, FJA4313, FJB102, 2SC2240, FJD3076, FJD3305H1, FJD5304D, FJD5553, FJD5555, FJE3303, FJE5304D, FJI5603D
History: BC639-10
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irfp240 mosfet | tip141 | 2n404 | 2n4250 | d882 transistor equivalent | 17n80c3 | bc107 transistor | rjp63g4 datasheet
