Биполярный транзистор FJB3307D Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: FJB3307D
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8
   Корпус транзистора: TO263
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам