Справочник транзисторов. FJD5304D

 

Биполярный транзистор FJD5304D Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: FJD5304D
   Маркировка: J5304D
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8
   Корпус транзистора: TO252
 

 Аналог (замена) для FJD5304D

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FJD5304D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:225K  fairchild semi
 fjd5304d.pdf pdf_icon

FJD5304D

July 2010FJD5304DHigh Voltage Fast Switching TransistorFeatures Built-in Free Wheeling Diode Wide Safe Operating Area Small Variance in Storage Time Suitable for Electronic Ballast ApplicationEquivalent CircuitCBD-PAK1E1. Base 2. Collector 3. EmitterAbsolute Maximum Ratings Ta = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

History: 2N301G

 

 
Back to Top

 


 
.