FJD5304D - описание и поиск аналогов

 

FJD5304D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FJD5304D

Маркировка: J5304D

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8

Корпус транзистора: TO252

 Аналоги (замена) для FJD5304D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FJD5304D даташит

 ..1. Size:225K  fairchild semi
 fjd5304d.pdf pdf_icon

FJD5304D

July 2010 FJD5304D High Voltage Fast Switching Transistor Features Built-in Free Wheeling Diode Wide Safe Operating Area Small Variance in Storage Time Suitable for Electronic Ballast Application Equivalent Circuit C B D-PAK 1 E 1. Base 2. Collector 3. Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-

Другие транзисторы: FJA4210, FJA4213, FJA4310, FJA4313, FJB102, FJB3307D, FJD3076, FJD3305H1, BC639, FJD5553, FJD5555, FJE3303, FJE5304D, FJI5603D, FJL4215, FJL4315, FJL6920

 

 

 

 

↑ Back to Top
.