FJE5304D - описание и поиск аналогов

 

FJE5304D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FJE5304D

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для FJE5304D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FJE5304D даташит

 ..1. Size:479K  fairchild semi
 fje5304d.pdf pdf_icon

FJE5304D

FJE5304D NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor High Voltage High Speed Power Switch Application Wide Safe Operating Area Built-in Free Wheeling diode Suitable for Electronic Ballast Application Small Variance in Storage Time Equivalent Circuit C B TO-126 1 E 1.Emitter 2.Collector 3.Base Absolute Maximum Ratings TC = 25 C unless otherwise noted Symbol Para

 ..2. Size:301K  onsemi
 fje5304d.pdf pdf_icon

FJE5304D

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие транзисторы: FJB102, FJB3307D, FJD3076, FJD3305H1, FJD5304D, FJD5553, FJD5555, FJE3303, TIP142, FJI5603D, FJL4215, FJL4315, FJL6920, FJN3303F, FJP13007, FJP13009, FJP3305

 

 

 

 

↑ Back to Top
.