FJL6920 - описание и поиск аналогов

 

FJL6920 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FJL6920
   Маркировка: 2SJ6920
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1700 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 6
   Корпус транзистора: TO264

 Аналоги (замена) для FJL6920

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FJL6920 - технические параметры

 ..1. Size:83K  fairchild semi
fjl6920.pdfpdf_icon

FJL6920

FJL6920 High Voltage Color Display Horizontal Deflection Output High Collector-Base Breakdown Voltage BVCBO = 1700V Low Saturation Voltage VCE(sat) = 3V (Max.) For Color Monitor 1 TO-264 1.Base 2.Collector 3.Emitter NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Rating Units VCBO Collector-Bas

 ..2. Size:248K  onsemi
fjl6920.pdfpdf_icon

FJL6920

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

 ..3. Size:420K  cn sptech
fjl6920.pdfpdf_icon

FJL6920

SPTECH Product Specification SPTECH Silicon NPN Power Transistor FJL6920 DESCRIPTION High Switching Speed High Breakdown Voltage- V = 1700V(Min) (BR)CBO APPLICATIONS Designed for horizontal deflection output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 1700 V CBO V Collector-Emitter Voltage 800 V CEO V Emitter-Ba

 0.1. Size:1278K  cn sps
fjl6920t7tl.pdfpdf_icon

FJL6920

FJL6920T7TL Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION High Switching Speed High Breakdown Voltage- V = 1700V(Min) (BR)CBO APPLICATIONS Designed for horizontal deflection output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 1700 V CBO V Collector-Emitter Voltage 800 V CEO V Emitter-Base Voltage 6 V EBO I Collector

Другие транзисторы... FJD5304D , FJD5553 , FJD5555 , FJE3303 , FJE5304D , FJI5603D , FJL4215 , FJL4315 , 431 , FJN3303F , FJP13007 , FJP13009 , FJP3305 , FJP3307D , FJP5027N , FJP5304D , FJP5554 .

 

 
Back to Top

 


 
.