Справочник транзисторов. FJP5027N

 

Биполярный транзистор FJP5027N Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: FJP5027N
   Маркировка: J5027N
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO220
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

FJP5027N Datasheet (PDF)

 7.1. Size:59K  fairchild semi
 fjp5027.pdf pdf_icon

FJP5027N

FJP5027High Voltage and High Reliability High Speed Switching Wide SOATO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 1100 V VCEO Collector-Emitter Voltage 800 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collector Current (DC) 3 A ICP Collector Curre

 7.2. Size:238K  onsemi
 fjp5027.pdf pdf_icon

FJP5027N

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: DRA9114E | BTB1424FP | KT368B9 | PTB20151 | 2SD1257 | MUN5130

 

 
Back to Top

 


 
.