Справочник транзисторов. KSB834W

 

Биполярный транзистор KSB834W - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: KSB834W
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO263 D2PAK

 Аналоги (замена) для KSB834W

 

 

KSB834W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:28K  fairchild semi
 ksb834w.pdf

KSB834W KSB834W

KSB834WLow Frequency Power Amplifier Complement to KSD880W1 D2-PAK1.Base 2.Collector 3.EmitterPNP Silicon Epitaxial TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage - 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage - 60 V VEBO Emitter-Base Voltage - 7 V IC Collector Current - 3 AIB Base Current - 0.5 A P

 ..2. Size:147K  onsemi
 ksb834w.pdf

KSB834W KSB834W

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

 ..3. Size:216K  inchange semiconductor
 ksb834w.pdf

KSB834W KSB834W

isc Silicon PNP Power Transistor KSB834WDESCRIPTIONComplement to KSD880W100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSLow frequency power amplifierABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage -60 VCBOV Collector-Emitter Voltage -60 VCEOV Emitter-Bas

 8.1. Size:70K  fairchild semi
 ksb834.pdf

KSB834W KSB834W

KSB834Low Frequency Power Amplifier Complement to KSD880TO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterPNP Silicon Epitaxial TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage - 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage - 60 V VEBO Emitter-Base Voltage - 7 V IC Collector Current - 3 AIB Base Current - 0.5 A PC

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .