NZT902 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NZT902  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: SOT223

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для NZT902

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NZT902 даташит

 ..1. Size:202K  fairchild semi
 nzt902.pdf pdf_icon

NZT902

September 2006 NZT902 tm NPN Low Saturation Transistor 4 These devices are designed with high current gain and low saturation voltage with collector currents up to 3A continuous. 3 2 1 SOT-223 1. Base 2. Collector 3. Emitter Absolute Maximum Ratings* Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 90 V VCBO Collector-Base Voltage

 ..2. Size:289K  onsemi
 nzt902.pdf pdf_icon

NZT902

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие транзисторы: KSC5502DT, KSC5603D, KSE13003T, KSE44H, KSE45H, MJD41CTF, MJD47TF, MJD50TF, 13007, BFS17N, DMMT3904W, DMMT3906, DMMT3906W, DMMT5401, DMMT5551, DMMT5551S, FCX605