2N5529. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N5529

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO61

 Аналоги (замена) для 2N5529

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N5529 даташит

 9.1. Size:72K  intersil
 2n5515 2n5516 2n5517 2n5518 2n5519 2n5520 2n5521 2n5522 2n5523 2n5524.pdf pdf_icon

2N5529

Другие транзисторы: 2N55, 2N550, 2N551, 2N552, 2N5525, 2N5526, 2N5527, 2N5528, TIP127, 2N553, 2N5530, 2N5531, 2N5532, 2N5533, 2N5534, 2N5535, 2N5536