2N5530. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N5530

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO61

 Аналоги (замена) для 2N5530

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N5530 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: 2N551, 2N552, 2N5525, 2N5526, 2N5527, 2N5528, 2N5529, 2N553, 2SD2499, 2N5531, 2N5532, 2N5533, 2N5534, 2N5535, 2N5536, 2N5537, 2N5538