2SC6043. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2SC6043
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 420 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 9 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200
Корпус транзистора: MP
Аналоги (замена) для 2SC6043
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SC6043 даташит
2sc6043.pdf
Ordering number ENN8326 2SC6043 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SC6043 High-Current Switching Applications Applications Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, electrical equipment. Features Adoption of MBIT process. High current capacitance. Low collector-to-emitter saturation voltage. High-speed switching. Specifications Absolute Maximum Ra
2sc6042.pdf
2SC6042 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type 2SC6042 High-Speed, High-Voltage Switching Applications Unit mm Switching Regulator Applications DC-DC Converter Applications High-speed switching tf = 0.2 s (max) (IC = 0.3A) High breakdown voltage VCES = 800 V, VCEO = 375 V Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristic Symbol Rating Unit Colle
2sc6040.pdf
2SC6040 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type 2SC6040 High-Speed and High-Voltage Switching Applications Unit mm Switching Regulator Applications DC-DC Converter Applications High-speed switching tf = 0.2 s (max) (IC = 0.3 A) High breakdown voltage VCES = 800 V, VCEO = 410 V Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristic Symbol Rating Unit C
2sc6044.pdf
Ordering number ENN8251 2SC6044 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SC6044 High-Current Switching Applications Applications Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, electrical equipment. Features Adoption of MBIT process. Low collector-to-emitter saturation voltage. High current capacity. High-speed switching. Specifications Absolute Maximum Ratin
Другие транзисторы: 2SC5658M3T5G, 2SC5658RM3T5G, 2SC5706, 2SC5707, 2SC5888, 2SC5964, 2SC5994, 2SC6017, BDT88, 2SC6082, 2SC6094, 2SC6095, 2SC6096, 2SC6097, 2SC6144, 30A02CH, 30A02MH
History: CD9014E | 3DG183 | STC4073D | BSX69 | FMMT3743
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irfb3607pbf datasheet | 60n60 | 2n5485 equivalent | 2sa1941 | 2sc485 | 2sd287 | 2sd438 | a1492





