BC846BM3T5G. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BC846BM3T5G
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.265 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 65 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200
Корпус транзистора: SOT723
Аналоги (замена) для BC846BM3T5G
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BC846BM3T5G даташит
bc846bm3t5g nsvbc846bm3t5g.pdf
BC846BM3T5G, NSVBC846BM3T5G General Purpose Transistor NPN Silicon Moisture Sensitivity Level 1 http //onsemi.com ESD Rating Human Body Model >4000 V Machine Model >400 V COLLECTOR NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring 3 Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 1 Qualified and PPAP Capable BASE This is a Pb-Free Device 2 EMI
nsvbc846bm3t5g.pdf
BC846BM3T5G, NSVBC846BM3T5G General Purpose Transistor NPN Silicon Moisture Sensitivity Level 1 http //onsemi.com ESD Rating Human Body Model >4000 V Machine Model >400 V COLLECTOR NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring 3 Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 1 Qualified and PPAP Capable BASE This is a Pb-Free Device 2 EMI
bc846bm3-d.pdf
BC846BM3T5G General Purpose Transistor NPN Silicon Moisture Sensitivity Level 1 ESD Rating Human Body Model >4000 V Machine Model >400 V http //onsemi.com This is a Pb-Free Device COLLECTOR 3 MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit 1 BASE Collector-Emitter Voltage VCEO 65 Vdc 2 Collector-Base Voltage VCBO 80 Vdc EMITTER Emitter-Base Voltage VEBO 6.0 Vdc Collec
bc846bm3.pdf
BC846BM3T5G, NSVBC846BM3T5G General Purpose Transistor NPN Silicon Moisture Sensitivity Level 1 http //onsemi.com ESD Rating Human Body Model >4000 V Machine Model >400 V COLLECTOR NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring 3 Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 1 Qualified and PPAP Capable BASE This is a Pb-Free Device 2 EMI
Другие транзисторы: BC807-16L, BC807-25L, BC807-40L, BC817-16L, BC817-25L, BC817-40L, BC846AL, BC846BL, TIP42C, BC846BPDW1, BC846C, BC847AL, BC847BDW1, BC847BL, BC847BP, BC847BPDXV6, BC847CDXV6
History: 3DD162 | DTD101
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc1364 replacement | 2sd665 | 7506 mosfet datasheet | 2sb1186a | a1695 datasheet | 3415 transistor | 072ne6pt | 2sd388




