2N5539. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N5539

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 175 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 130 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO61

 Аналоги (замена) для 2N5539

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N5539 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: 2N5531, 2N5532, 2N5533, 2N5534, 2N5535, 2N5536, 2N5537, 2N5538, 2SB817, 2N554, 2N5540, 2N5541, 2N5542, 2N555, 2N5550, 2N5551, 2N5552