BCW70L - описание и поиск аналогов

 

BCW70L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BCW70L

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 215

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для BCW70L

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BCW70L даташит

 0.1. Size:410K  motorola
bcw69lt1 bcw70lt1.pdfpdf_icon

BCW70L

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by BCW69LT1/D General Purpose Transistors BCW69LT1 PNP Silicon BCW70LT1 COLLECTOR 3 1 3 BASE 1 2 2 EMITTER CASE 318 08, STYLE 6 SOT 23 (TO 236AB) MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit Collector Emitter Voltage VCEO 45 Vdc Emitter Base Voltage VEBO 5.0 Vdc Collector Current Continuous IC 100

 0.2. Size:265K  onsemi
bcw70lt1-d.pdfpdf_icon

BCW70L

BCW70LT1G General Purpose Transistor PNP Silicon Features These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS http //onsemi.com Compliant COLLECTOR 3 MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit 1 BASE Collector-Emitter Voltage VCEO -45 Vdc Emitter-Base Voltage VEBO -5.0 Vdc 2 Collector Current - Continuous IC -100 mAdc EMITTER THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic

 0.3. Size:227K  onsemi
bcw70lt1g.pdfpdf_icon

BCW70L

BCW70LT1G General Purpose Transistor PNP Silicon Features These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS www.onsemi.com Compliant COLLECTOR 3 MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit 1 BASE Collector-Emitter Voltage VCEO -45 Vdc Emitter-Base Voltage VEBO -5.0 Vdc 2 Collector Current - Continuous IC -100 mAdc EMITTER THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Sy

 0.4. Size:411K  willas
bcw70lt1.pdfpdf_icon

BCW70L

FM120-M BCW69LT1 WILLAS THRU BCW70LT1 General Purpose Transistors FM1200-M 1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS -20V- 200V SOD-123 PACKAGE Pb Free Produc Package outline Features Batch process design, excellent power dissipation offers better reverse leakage current and thermal resistance. PNP Silicon SOD-123H Lo Featruesw profile surface mounted applica

Другие транзисторы: BC858BL, BC858CDXV6, BC858CL, BCW30L, BCW32L, BCW33L, BCW65AL, BCW68GL, 2SC945, BCW72L, BCX17L, BCX19L, BDW47, BSP19A, BSS64L, BSV52L, BUB323Z

 

 

 

 

↑ Back to Top
.