Биполярный транзистор BUB323Z - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BUB323Z
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 500
Корпус транзистора: D2PAK
BUB323Z Datasheet (PDF)
bub323z.pdf
BUB323ZNPN Silicon PowerDarlingtonHigh Voltage AutoprotectedD2PAK for Surface Mounthttp://onsemi.comThe BUB323Z is a planar, monolithic, highvoltage powerDarlington with a builtin active zener clamping circuit. This device isspecifically designed for unclamped, inductive applications such asAUTOPROTECTEDElectronic Ignition, Switching Regulators and Motor Control, and
njvbub323zt4g.pdf
BUB323ZNPN Silicon PowerDarlingtonHigh Voltage AutoprotectedD2PAK for Surface Mounthttp://onsemi.comThe BUB323Z is a planar, monolithic, high-voltage powerDarlington with a built-in active zener clamping circuit. This device isAUTOPROTECTEDspecifically designed for unclamped, inductive applications such asElectronic Ignition, Switching Regulators and Motor Control.DARLINGT
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
