2N5541. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N5541

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 175 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 130 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для 2N5541

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N5541 даташит

 9.1. Size:56K  vishay
 2n5545-7.pdf pdf_icon

2N5541

2N5545/46/47/JANTX/JANTXV Vishay Siliconix Monolithic N-Channel JFET Duals PRODUCT SUMMARY Part Number VGS(off) (V) V(BR)GSS Min (V) gfs Min (mS) IG Max (pA) jVGS1 VGS2j Max (mV) 2N5545 0.5 to 4.5 50 1.5 50 5 2N5546 0.5 to 4.5 50 1.5 50 10 2N5547 0.5 to 4.5 50 1.5 50 15 FEATURES BENEFITS APPLICATIONS D Monolithic Design D Tight Differential Match

 9.2. Size:51K  crystaloncs
 2n5543.pdf pdf_icon

2N5541

Другие транзисторы: 2N5534, 2N5535, 2N5536, 2N5537, 2N5538, 2N5539, 2N554, 2N5540, D880, 2N5542, 2N555, 2N5550, 2N5551, 2N5552, 2N5552-1, 2N5552-2, 2N5552-4