DTC124XE. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: DTC124XE
Маркировка: 45_8L
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.47
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80
Корпус транзистора: SC75 SOT416
Аналоги (замена) для DTC124XE
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
DTC124XE даташит
dtc124xe.pdf
DTC124X series Datasheet NPN 100mA 50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline VMT3 EMT3 Parameter Value OUT OUT VCC 50V IN IN IC(MAX.) 100mA GND GND R1 22kW DTC124XM DTC124XE R2 (SC-105AA) 47kW SOT-416 (SC-75A) UMT3 SMT3 OUT lFeatures OUT 1) Built-In Biasing Resistors IN IN 2) Built-in bias resistors enable the configuration
pdtc124xef 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D425 PDTC124XEF NPN resistor-equipped transistor 1999 May 18 Preliminary specification Supersedes data of 1998 Nov 11 Philips Semiconductors Preliminary specification NPN resistor-equipped transistor PDTC124XEF FEATURES Power dissipation comparable to SOT23 Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 22 k and 47 k respectively) 3 ha
pdtc124xe 3.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTC124XE NPN resistor-equipped transistor 1999 May 18 Product specification Supersedes data of 1998 Sep 21 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC124XE FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 22 k and 47 k respectively) Simplification of circuit design handbook, halfpage
pdtc124xef 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D425 PDTC124XEF NPN resistor-equipped transistor 1999 May 18 Preliminary specification Supersedes data of 1998 Nov 11 Philips Semiconductors Preliminary specification NPN resistor-equipped transistor PDTC124XEF FEATURES Power dissipation comparable to SOT23 Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 22 k and 47 k respectively) 3 ha
Другие транзисторы: DTA143ZE, DTA144EE, DTC114EE, DTC114TE, DTC114YE, DTC115EE, DTC123JE, DTC124EE, BD140, DTC143EE, DTC143ZE, DTC144EE, EC3H02BA, EC4H09C, ECH8501, EMD4DXV6, EMF18
History: KT6128A
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
p20nm60fp datasheet | 2sc1943 | 7408 mosfet | cs630 | 2sc2705 transistor | 647 transistor | d525 transistor | 2sc1583











