DTC124XE - описание и поиск аналогов

 

DTC124XE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DTC124XE

Маркировка: 45_8L

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.47

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SC75 SOT416

 Аналоги (замена) для DTC124XE

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTC124XE даташит

 ..1. Size:626K  rohm
dtc124xe.pdfpdf_icon

DTC124XE

DTC124X series Datasheet NPN 100mA 50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline VMT3 EMT3 Parameter Value OUT OUT VCC 50V IN IN IC(MAX.) 100mA GND GND R1 22kW DTC124XM DTC124XE R2 (SC-105AA) 47kW SOT-416 (SC-75A) UMT3 SMT3 OUT lFeatures OUT 1) Built-In Biasing Resistors IN IN 2) Built-in bias resistors enable the configuration

 0.1. Size:54K  motorola
pdtc124xef 2.pdfpdf_icon

DTC124XE

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D425 PDTC124XEF NPN resistor-equipped transistor 1999 May 18 Preliminary specification Supersedes data of 1998 Nov 11 Philips Semiconductors Preliminary specification NPN resistor-equipped transistor PDTC124XEF FEATURES Power dissipation comparable to SOT23 Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 22 k and 47 k respectively) 3 ha

 0.2. Size:55K  motorola
pdtc124xe 3.pdfpdf_icon

DTC124XE

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTC124XE NPN resistor-equipped transistor 1999 May 18 Product specification Supersedes data of 1998 Sep 21 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC124XE FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 22 k and 47 k respectively) Simplification of circuit design handbook, halfpage

 0.3. Size:54K  philips
pdtc124xef 2.pdfpdf_icon

DTC124XE

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D425 PDTC124XEF NPN resistor-equipped transistor 1999 May 18 Preliminary specification Supersedes data of 1998 Nov 11 Philips Semiconductors Preliminary specification NPN resistor-equipped transistor PDTC124XEF FEATURES Power dissipation comparable to SOT23 Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 22 k and 47 k respectively) 3 ha

Другие транзисторы: DTA143ZE, DTA144EE, DTC114EE, DTC114TE, DTC114YE, DTC115EE, DTC123JE, DTC124EE, BD140, DTC143EE, DTC143ZE, DTC144EE, EC3H02BA, EC4H09C, ECH8501, EMD4DXV6, EMF18

 

 

 

 

↑ Back to Top
.