Биполярный транзистор ECH8501 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: ECH8501
Маркировка: MA
Тип материала: Si
Полярность: NPN*PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.6 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 260 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: ECH8
Аналог (замена) для ECH8501
ECH8501 Datasheet (PDF)
ech8501.pdf

ECH8501Ordering number : ENA1581SANYO SemiconductorsDATA SHEETPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon TransistorsECH8501Gate Drive ApplicationsFeatures Composite type, facilitating high-density mounting Mounting height 0.9mm Low collector-to-emitter saturation voltage NPN : VCE(sat)=0.075V(typ.)@IC=2.5A PNP : VCE(sat)= --0.1V(typ.)@IC= --2.5A Halogen free complianc
ech8501.pdf

Ordering number : ENA1581AECH8501Bipolar Transistorhttp://onsemi.com() () ( )30V, 30A, Low VCE sat Complementary Dual ECH8Features Composite type, facilitating high-density mounting Mounting height 0.9mm Low collector-to-emitter saturation voltage NPN : VCE(sat)=0.075V(typ.)@IC=2.5A PNP : VCE(sat)= --0.1V(typ.)@IC= --2.5A Halogen free compliance( ): PN
ech8502.pdf

ECH8502Ordering number : ENA1758SANYO SemiconductorsDATA SHEETPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon TransistorsECH8502Gate Drive ApplicationsFeatures Composite type, facilitating high-density mounting Mounting height 0.9mm Low collector-to-emitter saturation voltage NPN : VCE(sat)=0.08V(typ.)@IC=2.5A PNP : VCE(sat)= --0.12V(typ.)@IC= --2.5A Halogen free complianc
ech8503.pdf

ECH8503Ordering number : ENA1680SANYO SemiconductorsDATA SHEETPNP Epitaxial Planar Silicon TransistorECH8503Motor Drive ApplicationsFeatures Composite type, facilitating high-density mounting Mounting height 0.9mm Halogen free complianceSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitCollector-to-Base Voltage VCBO
Другие транзисторы... DTC123JE , DTC124EE , DTC124XE , DTC143EE , DTC143ZE , DTC144EE , EC3H02BA , EC4H09C , 13003 , EMD4DXV6 , EMF18 , EMF5XV6T5 , EMG2DXV5 , EMG5DXV5 , EMX1 , EMX2DXV6 , EMZ1 .
History: 2N4973 | D33D26



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
d525 transistor | 2sc1583 | g60t60an3h | mosfet k8a50d | sl100 transistor | d2499 datasheet | 6r190p6 datasheet | 2n270