MBT2222ADW1T1 - описание и поиск аналогов

 

MBT2222ADW1T1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MBT2222ADW1T1

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SC-88 SC-70 SOT-363

 Аналоги (замена) для MBT2222ADW1T1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MBT2222ADW1T1 даташит

 ..1. Size:164K  onsemi
mbt2222adw1t1.pdfpdf_icon

MBT2222ADW1T1

MBT2222ADW1T1G General Purpose Transistor NPN Silicon Features Moisture Sensitivity Level 1 http //onsemi.com These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant (3) (2) (1) MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit Q1 Q2 Collector-Emitter Voltage VCEO 40 Vdc Collector-Base Voltage VCBO 75 Vdc (4) (5) (6) Emitter-Base Voltage VEBO 6.0 Vdc Collector Cur

 0.1. Size:160K  onsemi
mbt2222adw1t1g.pdfpdf_icon

MBT2222ADW1T1

MBT2222ADW1T1G General Purpose Transistor NPN Silicon Features Moisture Sensitivity Level 1 http //onsemi.com These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant (3) (2) (1) MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit Q1 Q2 Collector-Emitter Voltage VCEO 40 Vdc Collector-Base Voltage VCBO 75 Vdc (4) (5) (6) Emitter-Base Voltage VEBO 6.0 Vdc Collector Cur

 0.2. Size:341K  willas
mmbt2222adw1t1.pdfpdf_icon

MBT2222ADW1T1

FM120-M MMBT2222ADW1T1 WILLAS THRU Dual General Purpose Transistors FM1200-M 1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS -20V- 200V SOD-123 PACKAGE Pb Free Product Package outline Features Batch process design, excellent power dissipation offers better reverse leakage current and thermal resistance. SOD-123H Low profile surface mounted application in order to o

 0.3. Size:250K  lrc
lmbt2222adw1t1g.pdfpdf_icon

MBT2222ADW1T1

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Dual General Purpose Transistors NPN Silicon LMBT2222ADW1T1G S-LMBT2222ADW1T1G We declare that material of product compliance with ROHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring 6 5 Unique Site and Control Change Requirements; 4 AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. 1 2 MAXIMUM RATINGS 3 Rating Symbol Value Unit SC-

Другие транзисторы: EMG2DXV5, EMG5DXV5, EMX1, EMX2DXV6, EMZ1, FH102A, HN1B01FDW1, IMH20TR1, 2SC4793, MBT35200, MBT3904DW1, MBT3906DW1, MBT3946DW1T1, MBT6429DW1, MCH3007, MCH4009, MCH4014

 

 

 

 

↑ Back to Top
.