MJF32C datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: MJF32C 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10
Корпус транзистора: TO220FP
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для MJF32C
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
MJF32C даташит
mjf31c mjf32c.pdf
MJF31C (NPN), MJF32C (PNP) Preferred Device Complementary Silicon Plastic Power Transistors for Isolated Package http //onsemi.com Applications Designed for use in general purpose amplifier and switching 3.0 AMPERE applications. POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON Features 100 VOLTS, 28 WATTS Collector-Emitter Saturation Voltage - VCE(sat) = 1.2 Vdc (Max) @ IC = 3.0 Adc
mjf32cg.pdf
MJF31C (NPN), MJF32C (PNP) Preferred Device Complementary Silicon Plastic Power Transistors for Isolated Package http //onsemi.com Applications Designed for use in general purpose amplifier and switching 3.0 AMPERE applications. POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON Features 100 VOLTS, 28 WATTS Collector-Emitter Saturation Voltage - VCE(sat) = 1.2 Vdc (Max) @ IC = 3.0 Adc
Другие транзисторы: MJD128, MJD253, MJD44E3, MJE15032, MJE15033, MJE15034, MJE15035, MJF31C, BC549, MJF44H11, MJF45H11, MJL1302A, MJL21193, MJL21194, MJL21195, MJL21196, MJL3281A
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
k3502 datasheet | p0903bdg datasheet | 2sa722 | f1010e mosfet datasheet | 2sa566 | bc559 equivalent | c2075 transistor | ecg123


