Справочник транзисторов. 2N556

 

Биполярный транзистор 2N556 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2N556
   Тип материала: Ge
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 35
   Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для 2N556

 

 

2N556 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:89K  vishay
2n5564 2n5565 2n5566.pdf

2N556
2N556

2N5564/5565/5566Vishay SiliconixMatched N-Channel JFET PairsPRODUCT SUMMARYPart Number VGS(off) (V) V(BR)GSS Min (V) gfs Min (mS) IG Typ (pA) jVGS1 - VGS2j Max (mV)2N5564 -0.5 to -3 -40 7.5 -3 52N5565 -0.5 to -3 -40 7.5 -3 102N5566 -0.5 to -3 -40 7.5 -3 20FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD Two-Chip Design D Tight Differential Match vs. Current D Wideband Differential AmpsD High

Другие транзисторы... 2N555 , 2N5550 , 2N5551 , 2N5552 , 2N5552-1 , 2N5552-2 , 2N5552-4 , 2N5559 , A1266 , 2N5560 , 2N557 , 2N5575 , 2N5576 , 2N5577 , 2N5578 , 2N5579 , 2N558 .

History: KTD1003A

 

 
Back to Top