MMBT2907AW. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MMBT2907AW

Маркировка: 2F

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SC-70 SOT-323

 Аналоги (замена) для MMBT2907AW

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBT2907AW даташит

 ..1. Size:911K  secos
mmbt2907aw.pdfpdf_icon

MMBT2907AW

MMBT2907AW PNP Silicon General Purpose Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product SOT-323 A suffix of -C specifies halogen & lead-free FEATURE A L Complementary NPN Type Available(MMBT2222AW) 3 3 Epitaxial Planar Die Construction Top View C B Ideal for Medium Power Amplification and Switching 1 1 2 2 K E D COLLECTOR H J F G 3 M

 ..2. Size:354K  wietron
mmbt2907aw.pdfpdf_icon

MMBT2907AW

MMBT2907AW COLLECTOR 3 PNP General Purpose Transistors 3 1 BASE 1 2 2 EMITTER SOT-323(SC-70) MAXIMUM RATINGS Value Rating Symbol Unit -60 Collector-Emitter Voltage V CEO Vdc -60 Collector-Base Voltage VCBO Vdc Emitter-Base VOltage VEBO -5.0 Vdc Collector Current-Continuous IC mAdc -600 THERMAL CHARACTERISTICS Characteristics Symbol Unit Max Total Device Dissipation

 ..3. Size:287K  panjit
mmbt2907aw.pdfpdf_icon

MMBT2907AW

MMBT2907AW PNP GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR Unit inch (mm) SOT-323 POWER 225 mW VOLTAGE 60 Volts FEATURES PNP epitaxial silicon, planar design Collector-emitter voltage VCE = -60V 0.087(2.20) 0.070(1.80) Collector current IC = -600mA Lead free in compliance with EU RoHS2.0 (2011/65/EU & 2015/865/EU directive) 0.054(1.35) Green molding compound as per IEC61249 Std.

 0.1. Size:76K  motorola
mmbt2907awt1rev0.pdfpdf_icon

MMBT2907AW

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MMBT2907AWT1/D Preliminary Information MMBT2907AWT1 General Purpose Transistor PNP Silicon Motorola Preferred Device These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT 323/SC 70 package which is designed for low power surface mount applications. COLLECTOR 3 3 1 1

Другие транзисторы: MMBT2222AM3, MMBT2222AW, MMBT2222L, MMBT2369AL, MMBT2369L, MMBT2484L, MMBT2907AL, MMBT2907AM3T5G, BD139, MMBT3416L, MMBT3904L, MMBT3904W, MMBT3906L, MMBT3906W, MMBT4126LT1, MMBT4401L, MMBT4401M3T5G