MMBT6428L - описание и поиск аналогов

 

MMBT6428L - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MMBT6428L
   Маркировка: 1KM
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 250
   Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для MMBT6428L

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBT6428L - технические параметры

 0.1. Size:194K  onsemi
mmbt6428lt1 mmbt6429lt1.pdfpdf_icon

MMBT6428L

MMBT6428LT1G, MMBT6429LT1G Amplifier Transistors NPN Silicon http //onsemi.com Features These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS COLLECTOR Compliant 3 1 BASE MAXIMUM RATINGS 2 EMITTER Rating Symbol 6428LT1 6429LT1 Unit Collector-Emitter Voltage VCEO 50 45 Vdc Collector-Base Voltage VCBO 60 55 Vdc 3 SOT-23 (TO-236) Emitter-Base Voltage VEBO 6.0 Vdc CA

 0.2. Size:82K  onsemi
mmbt6428lt1g mmbt6429lt1g nsvmmbt6429lt1g.pdfpdf_icon

MMBT6428L

MMBT6428LT1G, MMBT6429LT1G, NSVMMBT6429LT1G Amplifier Transistors NPN Silicon www.onsemi.com Features COLLECTOR 3 NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 1 Qualified and PPAP Capable BASE These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 2 EMITTER 3 SOT-23 (TO-236) MAXIMUM

 0.3. Size:190K  onsemi
mmbt6428lt1g.pdfpdf_icon

MMBT6428L

MMBT6428LT1G, MMBT6429LT1G Amplifier Transistors NPN Silicon http //onsemi.com Features These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS COLLECTOR Compliant 3 1 BASE MAXIMUM RATINGS 2 EMITTER Rating Symbol 6428LT1 6429LT1 Unit Collector-Emitter Voltage VCEO 50 45 Vdc Collector-Base Voltage VCBO 60 55 Vdc 3 SOT-23 (TO-236) Emitter-Base Voltage VEBO 6.0 Vdc CA

 0.4. Size:193K  china
mmbt6428lt1.pdfpdf_icon

MMBT6428L

SEMICONDUCTOR MMBT6428LT1 Shandong Yiguang Electronic Joint stock Co., Ltd TECHNICAL DATA NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR Package SOT-23 Amplifier Transistors ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS at Ta=25 Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage Vcbo 60 V Collector-Emitter Voltage Vceo 50 V Emitter-Base Voltage Vebo 6 V PIN 1 2 3 Collector Current Ic 200 mA STYLE

Другие транзисторы... MMBT5088L , MMBT5089L , MMBT5401L , MMBT5550L , MMBT5551L , MMBT5551M3T5G , MMBT589L , MMBT6427L , 2N3906 , MMBT6429L , MMBT6517L , MMBT6520L , MMBT6521L , MMBT8099L , MMBT918L , MMBTA05L , MMBTA06L .

History: MMBT6429L | NA41UH

 

 
Back to Top

 


 
.