MMBTA14L datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: MMBTA14L 📄📄
Маркировка: 1N
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 125 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20000
Корпус транзистора: SOT23
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для MMBTA14L
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
MMBTA14L даташит
mmbta13lt1g mmbta14lt1g.pdf
MMBTA13L, SMMBTA13L, MMBTA14L, SMMBTA14L Darlington Amplifier Transistors NPN Silicon http //onsemi.com Features S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS SOT-23 (TO-236) Compliant* CASE 318 STYLE 6 COLLECTOR 3 MAXIM
mmbta13 mmbta14.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MMBTA13LT1/D MMBTA13LT1 Darlington Amplifier Transistors MMBTA14LT1 * NPN Silicon COLLECTOR 3 *Motorola Preferred Device BASE 1 3 EMITTER 2 1 MAXIMUM RATINGS 2 Rating Symbol Value Unit Collector Emitter Voltage VCES 30 Vdc CASE 318 08, STYLE 6 SOT 23 (TO 236AB) Collector Base Voltage VCBO 30 Vdc Emitte
mmbta14.pdf
MPSA14 MMBTA14 PZTA14 C C E E C B C TO-92 B SOT-23 B SOT-223 E Mark 1N NPN Darlington Transistor This device is designed for applications requiring extremely high current gain at collector currents to 1.0 A. Sourced from Process 05. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCES Collector-Emitter Voltage 30 V VCBO Collector-Ba
smbta14 mmbta14.pdf
SMBTA14/MMBTA14 NPN Silicon Darlington Transistor High collector current 2 3 Low collector-emitter saturation voltage 1 Pb-free (RoHS compliant) package Qualified according AEC Q101 Type Marking Pin Configuration Package SMBTA14/MMBTA14 s1N SOT23 1=B 2=E 3=C Maximum Ratings Parameter Symbol Value Unit 30 V Collector-emitter voltage VCES 30 Collector-base voltage
Другие транзисторы: MMBT6520L, MMBT6521L, MMBT8099L, MMBT918L, MMBTA05L, MMBTA06L, MMBTA06WT1, MMBTA13L, S8550, MMBTA42L, MMBTA55L, MMBTA56L, MMBTA56W, MMBTA63L, MMBTA64L, MMBTA70L, MMBTA92L
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
5n50 mosfet equivalent | a1016 transistor | a1693 transistor | a933 datasheet | c535 transistor | irf3205 reemplazo | mpsu06 | кт630









