Справочник транзисторов. MMJT350T1

 

Биполярный транзистор MMJT350T1 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MMJT350T1
   Маркировка: T350
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.75 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: SOT223 TO261
 

 Аналог (замена) для MMJT350T1

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMJT350T1 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:137K  onsemi
 mmjt350t1g.pdf pdf_icon

MMJT350T1

MMJT350T1G,SMMJT350T1GBipolar Power TransistorsPNP SiliconBipolar power transistors are designed for use in line-operatedhttp://onsemi.comapplications such as low power, line-operated series pass andswitching regulators requiring PNP capability.0.5 AMPEREFeaturesPOWER TRANSISTOR High Collector-Emitter Sustaining Voltage -PNP SILICONVCEO(sus) = 300 Vdc @ IC 300 VOL

 7.1. Size:184K  onsemi
 mmjt350.pdf pdf_icon

MMJT350T1

MMJT350Bipolar Power TransistorsPNP SiliconBipolar power transistors are designed for use in line-operatedapplications such as low power, line-operated series pass andswitching regulators requiring PNP capability.www.onsemi.comFeatures0.5 AMPERE High Collector-Emitter Sustaining VoltagePOWER TRANSISTOR Excellent DC Current GainPNP SILICON Epoxy Meets UL 94 V-0

Другие транзисторы... MMBTA56L , MMBTA56W , MMBTA63L , MMBTA64L , MMBTA70L , MMBTA92L , MMBTH10L , MMBTH10M3T5G , TIP31 , MMUN2111L , MMUN2112L , MMUN2113L , MMUN2114L , MMUN2115L , MMUN2116L , MMUN2132L , MMUN2133L .

History: KRA354

 

 
Back to Top

 


 
.