MMJT350T1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MMJT350T1

Маркировка: T350

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: SOT223 TO261

 Аналоги (замена) для MMJT350T1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMJT350T1 даташит

 0.1. Size:137K  onsemi
 mmjt350t1g.pdf pdf_icon

MMJT350T1

MMJT350T1G, SMMJT350T1G Bipolar Power Transistors PNP Silicon Bipolar power transistors are designed for use in line-operated http //onsemi.com applications such as low power, line-operated series pass and switching regulators requiring PNP capability. 0.5 AMPERE Features POWER TRANSISTOR High Collector-Emitter Sustaining Voltage - PNP SILICON VCEO(sus) = 300 Vdc @ IC 300 VOL

 7.1. Size:184K  onsemi
 mmjt350.pdf pdf_icon

MMJT350T1

MMJT350 Bipolar Power Transistors PNP Silicon Bipolar power transistors are designed for use in line-operated applications such as low power, line-operated series pass and switching regulators requiring PNP capability. www.onsemi.com Features 0.5 AMPERE High Collector-Emitter Sustaining Voltage POWER TRANSISTOR Excellent DC Current Gain PNP SILICON Epoxy Meets UL 94 V-0

Другие транзисторы: MMBTA56L, MMBTA56W, MMBTA63L, MMBTA64L, MMBTA70L, MMBTA92L, MMBTH10L, MMBTH10M3T5G, 8050, MMUN2111L, MMUN2112L, MMUN2113L, MMUN2114L, MMUN2115L, MMUN2116L, MMUN2132L, MMUN2133L