Справочник транзисторов. MSB709RT1

 

Биполярный транзистор MSB709RT1 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: MSB709RT1
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 210
   Корпус транзистора: SC59

 Аналоги (замена) для MSB709RT1

 

 

MSB709RT1 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:111K  motorola
msb709-r.pdf

MSB709RT1
MSB709RT1

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MSB709RT1/DPNP General Purpose AmplifierMSB709-RT1Transistor Surface MountMotorola Preferred DeviceCOLLECTOR33212 1BASE EMITTERCASE 318D03, STYLE 1MAXIMUM RATINGS (TA = 25C)SC59Rating Symbol Value UnitCollectorBase Voltage V(BR)CBO 60 VdcCollectorEmitter Voltage V(BR)CEO 45 V

 8.2. Size:42K  onsemi
msb709-rt1-d.pdf

MSB709RT1
MSB709RT1

MSB709-RT1Preferred Device PNP General PurposeAmplifier TransistorSurface MountFeatureshttp://onsemi.com Pb-Free Package is AvailableCOLLECTOR3MAXIMUM RATINGS (TA = 25C)Rating Symbol Value UnitCollector - Base Voltage V(BR)CBO -60 Vdc2 1Collector - Emitter Voltage V(BR)CEO -45 VdcBASE EMITTEREmitter - Base Voltage V(BR)EBO -7.0 VdcCollector Current - Conti

 8.3. Size:422K  wietron
msb709.pdf

MSB709RT1
MSB709RT1

MSB709PNP General Purpose Transistors31P b Lead(Pb)-Free2SOT-23MAXIMUM RATINGS(Ta=25C)Rating Symbol Value UnitCollector-Emitter VoltageVCEO-45 VVCBOCollector-Base Voltage -60 VVEBOEmitter-Base Voltage -7.0 VICCollector Current - Continuous -100 mAIC(P)Collector Current - Peak -200 mATotal Device DissipationPD0.2 mWTA=25CTj CJunction Temper

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 
Back to Top