NSB9435 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: NSB9435 📄📄
Маркировка: AYW
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 110 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 100 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 125
Корпус транзистора: SOT223 TO261
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для NSB9435
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
NSB9435 даташит
nsb9435t1-d.pdf
NSB9435T1G High Current Bias Resistor Transistor PNP Silicon Features http //onsemi.com Collector -Emitter Sustaining Voltage - VCEO(sus) = 30 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc POWER BJT High DC Current Gain - IC = 3.0 AMPERES hFE = 125 (Min) @ IC = 0.8 Adc BVCEO = 30 VOLTS = 90 (Min) @ IC = 3.0 Adc VCE(sat) = 0.275 VOLTS Low Collector -Emitter Saturation Voltage - VCE(sat
nsb9435t1g nsv9435t1g.pdf
NSB9435T1G, NSV9435T1G High Current Bias Resistor Transistor PNP Silicon http //onsemi.com Features Collector -Emitter Sustaining Voltage - POWER BJT VCEO(sus) = 30 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc IC = 3.0 AMPERES High DC Current Gain - BVCEO = 30 VOLTS hFE = 125 (Min) @ IC = 0.8 Adc VCE(sat) = 0.275 VOLTS = 90 (Min) @ IC = 3.0 Adc Low Collector -Emitter Saturation Voltag
nsb9435t1g.pdf
NSB9435T1G, NSV9435T1G High Current Bias Resistor Transistor PNP Silicon http //onsemi.com Features Collector -Emitter Sustaining Voltage - POWER BJT VCEO(sus) = 30 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc IC = 3.0 AMPERES High DC Current Gain - BVCEO = 30 VOLTS hFE = 125 (Min) @ IC = 0.8 Adc VCE(sat) = 0.275 VOLTS = 90 (Min) @ IC = 3.0 Adc Low Collector -Emitter Saturation Voltag
Другие транзисторы: NJT4031NT1G, NJW0302, NJW1302, NJW21194, NJX1675P, NS2029M3, NSB1706DMW5, NSB4904DW1, S9013, NSL12AW, NSM6056MT1G, NSM80100M, NSM80101M, NSS12100M3T5G, NSS12100UW, NSS12100XV6T1G, NSS12200L
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
History: MT0413 | DTC043ZM | 2SC2714O | 2SC4102FRA | BF758BA | MUN5111DW | 2SB279
🌐 : EN
ES
РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
ac128 transistor | 2n3055 transistor | 2n3904 datasheet | irf3710 | tip3055 | mosfet datasheet | irf3205 datasheet | irf5210



