Справочник транзисторов. 2N5590

 

Биполярный транзистор 2N5590 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2N5590
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 175 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 70 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5
   Корпус транзистора: TO128
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2N5590 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:10K  semelab
 2n5599.pdf pdf_icon

2N5590

2N5599Dimensions in mm (inches). Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO66 6.35 (0.250)Metal Package. 8.64 (0.340)3.68(0.145) rad.3.61 (0.142)max.4.08(0.161)rad.Bipolar PNP Device. 1 2VCEO = 80V IC = 2A All Semelab hermetically sealed products can be processed in accordance with the requirements of BS, CECC and JAN, JANTX, JANTXV and JANS specif

 9.2. Size:11K  semelab
 2n5597.pdf pdf_icon

2N5590

2N5597Dimensions in mm (inches). Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO66 6.35 (0.250)Metal Package. 8.64 (0.340)3.68(0.145) rad.3.61 (0.142)max.4.08(0.161)rad.Bipolar PNP Device. 1 2VCEO = 60V IC = 2A All Semelab hermetically sealed products can be processed in accordance with the requirements of BS, CECC and JAN, JANTX, JANTXV and JANS specif

 9.3. Size:117K  jmnic
 2n5598 2n5600 2n5602 2n5604.pdf pdf_icon

2N5590

Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors 2N5598 2N5600 2N5602 2N5604 DESCRIPTION With TO-66 package Excellent safe operating area Low collector-emitter saturation voltage APPLICATIONS For high frequency power amplifier ; audio power amplifier and drivers. PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 Emitter3 CollectorFig.1 simplified ou

 9.4. Size:120K  jmnic
 2n5597 2n5599 2n5601 2n5603.pdf pdf_icon

2N5590

Product Specification www.jmnic.com Silicon PNP Power Transistors 2N5597 2N5599 2N5601 2N5603 DESCRIPTION With TO-66 package Excellent safe operating area Low collector-emitter saturation voltage APPLICATIONS For high frequency power amplifier ; audio power amplifier and drivers. PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 Emitter3 CollectorFig.1 simplified ou

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: MJE700T | 2SC2140 | BC337 | 2N5832 | 2N1390 | 2N4909 | MJE344K

 

 
Back to Top

 


 
.