2N5590 - описание и поиск аналогов

 

2N5590. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N5590

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 175 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 70 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5

Корпус транзистора: TO128

 Аналоги (замена) для 2N5590

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N5590 даташит

 9.1. Size:10K  semelab
 2n5599.pdf pdf_icon

2N5590

2N5599 Dimensions in mm (inches). Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO66 6.35 (0.250) Metal Package. 8.64 (0.340) 3.68 (0.145) rad. 3.61 (0.142) max. 4.08(0.161) rad. Bipolar PNP Device. 1 2 VCEO = 80V IC = 2A All Semelab hermetically sealed products can be processed in accordance with the requirements of BS, CECC and JAN, JANTX, JANTXV and JANS specif

 9.2. Size:11K  semelab
 2n5597.pdf pdf_icon

2N5590

2N5597 Dimensions in mm (inches). Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO66 6.35 (0.250) Metal Package. 8.64 (0.340) 3.68 (0.145) rad. 3.61 (0.142) max. 4.08(0.161) rad. Bipolar PNP Device. 1 2 VCEO = 60V IC = 2A All Semelab hermetically sealed products can be processed in accordance with the requirements of BS, CECC and JAN, JANTX, JANTXV and JANS specif

 9.3. Size:117K  jmnic
 2n5598 2n5600 2n5602 2n5604.pdf pdf_icon

2N5590

Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors 2N5598 2N5600 2N5602 2N5604 DESCRIPTION With TO-66 package Excellent safe operating area Low collector-emitter saturation voltage APPLICATIONS For high frequency power amplifier ; audio power amplifier and drivers. PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter 3 Collector Fig.1 simplified ou

 9.4. Size:120K  jmnic
 2n5597 2n5599 2n5601 2n5603.pdf pdf_icon

2N5590

Product Specification www.jmnic.com Silicon PNP Power Transistors 2N5597 2N5599 2N5601 2N5603 DESCRIPTION With TO-66 package Excellent safe operating area Low collector-emitter saturation voltage APPLICATIONS For high frequency power amplifier ; audio power amplifier and drivers. PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter 3 Collector Fig.1 simplified ou

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2N5582, 2N5583, 2N5583LP, 2N5584, 2N5587, 2N5588, 2N5589, 2N559, B647, 2N5591, 2N5595, 2N5596, 2N5597, 2N5598, 2N5599, 2N56, 2N560

 

 

 

 

↑ Back to Top
.