Биполярный транзистор PZT651 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: PZT651
Маркировка: 651_ZT651
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: SOT223 TO261
PZT651 Datasheet (PDF)
pzt651.pdf
PZT651NPN Silicon PlanarEpitaxial TransistorThis NPN Silicon Epitaxial transistor is designed for use inindustrial and consumer applications. The device is housed in theSOT-223 package which is designed for medium power surfacewww.onsemi.commount applications.SOT-223 package ensures level mounting, resulting in improvedSOT-223 PACKAGE HIGH CURRENTthermal conduction, and allo
pzt651t1g.pdf
PZT651NPN Silicon PlanarEpitaxial TransistorThis NPN Silicon Epitaxial transistor is designed for use inindustrial and consumer applications. The device is housed in theSOT-223 package which is designed for medium power surfacewww.onsemi.commount applications.SOT-223 package ensures level mounting, resulting in improvedSOT-223 PACKAGE HIGH CURRENTthermal conduction, and allo
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050