PZT651. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PZT651

Маркировка: 651_ZT651

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: SOT223 TO261

 Аналоги (замена) для PZT651

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PZT651 даташит

 ..1. Size:58K  onsemi
 pzt651.pdf pdf_icon

PZT651

PZT651 NPN Silicon Planar Epitaxial Transistor This NPN Silicon Epitaxial transistor is designed for use in industrial and consumer applications. The device is housed in the SOT-223 package which is designed for medium power surface www.onsemi.com mount applications. SOT-223 package ensures level mounting, resulting in improved SOT-223 PACKAGE HIGH CURRENT thermal conduction, and allo

 0.1. Size:63K  onsemi
 pzt651t1g.pdf pdf_icon

PZT651

PZT651 NPN Silicon Planar Epitaxial Transistor This NPN Silicon Epitaxial transistor is designed for use in industrial and consumer applications. The device is housed in the SOT-223 package which is designed for medium power surface www.onsemi.com mount applications. SOT-223 package ensures level mounting, resulting in improved SOT-223 PACKAGE HIGH CURRENT thermal conduction, and allo

Другие транзисторы: NST857BDP6, NST857BF3T5G, NSTB1002, NSTB1005, P2N2222A, PCP1103, PCP1203, PZ3904, MJE340, PZT751, PZTA42, PZTA92, PZTA96S, UMC3, UMC5, 2PA1576Q, 2PA1576R