BC847BVN datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BC847BVN  📄📄 

Маркировка: 13

Тип материала: Si

Полярность: NPN*PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT666

 Аналоги (замена) для BC847BVN

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BC847BVN даташит

 ..1. Size:136K  philips
bc847bvn.pdfpdf_icon

BC847BVN

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D744 BC847BVN NPN/PNP general purpose transistor Product data sheet 2001 Nov 07 Supersedes data of 2001 Aug 30 NXP Semiconductors Product data sheet NPN/PNP general purpose transistor BC847BVN FEATURES PINNING 300 mW total power dissipation PIN DESCRIPTION Very small 1.6 mm x 1.2 mm ultra thin package 1, 4 emitter TR1; TR2 Exce

 ..2. Size:201K  nxp
bc847bvn.pdfpdf_icon

BC847BVN

BC847BVN NPN/PNP general purpose transistor 20 May 2019 Product data sheet 1. General description NPN/PNP transistor pair in a SOT666 plastic package. 2. Features and benefits 300 mW total power dissipation Very small 1.6 mm x 1.2 mm ultra thin package Excellent coplanarity due to straight leads Replaces two SC-75/SC-89 packaged transistors on same PCB area Reduced

 ..3. Size:160K  diodes
bc847bvn.pdfpdf_icon

BC847BVN

BC847BVN COMPLEMENTARY PAIR SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features Mechanical Data Epitaxial Die Construction Case SOT563 Two Internally Isolated NPN/PNP Transistors in One Package Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. Ultra-Small Surface Mount Package UL Flammability Classification Rating 94V-0 Totally Lead-Free & Fully Ro

 ..4. Size:1592K  jiangsu
bc847bvn.pdfpdf_icon

BC847BVN

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-563 Plastic-Encapsulate Transistors DUAL TRANSISTOR (NPN+PNP) BC847BVN SOT-563 FEATURES Epitaxial Die Construction Two isolated NPN/PNP(BC847W+BC857W) Transistors in one package MAKING KAW MAXIMUM RATINGS TR1 (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Em

Другие транзисторы: BC817W, BC846AT, BC846BT, BC846S, BC846T, BC846W, BC847BPN, BC847BV, 2SC2383, BC847T, BC847W, BC848W, BC856AT, BC856BT, BC856S, BC856W, BC857W