Справочник транзисторов. BFG310

 

Биполярный транзистор BFG310 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BFG310
   Маркировка: S1*
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.06 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 6 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 14000 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: SOT143R
 
   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFG310 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:74K  philips
bfg310 xr.pdfpdf_icon

BFG310

BFG310/XRNPN 14 GHz wideband transistorRev. 01 2 February 2005 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN silicon planar epitaxial transistor in a 4-pin dual-emitter SOT143R plastic package.1.2 Features High power gain Low noise figure High transition frequency Gold metallization ensures excellent reliability1.3 Applications Intended for Radio Fre

 0.1. Size:75K  philips
bfg310w xr.pdfpdf_icon

BFG310

BFG310W/XRNPN 14 GHz wideband transistorRev. 01 2 February 2005 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN silicon planar epitaxial transistor in a 4-pin dual-emitter SOT343R plastic package.1.2 Features High power gain Low noise figure High transition frequency Gold metallization ensures excellent reliability1.3 Applications Intended for Radio Fr

 9.1. Size:209K  philips
bfg31.pdfpdf_icon

BFG310

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETBFG31PNP 5 GHz wideband transistorProduct specification 1995 Sep 12Supersedes data of November 1992NXP Semiconductors Product specificationPNP 5 GHz wideband transistor BFG31FEATURES PINNINGlfpage4 High output voltage capabilityPIN DESCRIPTION High gain bandwidth product1 emitter Good thermal stability2 base Gold

 9.2. Size:41K  philips
bfg31 2.pdfpdf_icon

BFG310

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBFG31PNP 5 GHz wideband transistor1995 Sep 12Product specificationSupersedes data of November 1992File under Discrete Semiconductors, SC14Philips Semiconductors Product specificationPNP 5 GHz wideband transistor BFG31FEATURES PINNING High output voltage capabilityPIN DESCRIPTIONpage4 High gain bandwidth product1 emitter

Другие транзисторы... BCP69-25 , BCW61B , BCW61C , BF820W , BF824W , BFG10W , BFG25A , BFG25AW , 2N3055 , BFG310W , BFG325 , BFG325W , BFG410W , BFG424F , BFG424W , BFG540 , BFG540W .

History: BDX33

 

 
Back to Top

 


 
.