BFU690F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BFU690F  📄📄 

Маркировка: D4*

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.23 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 16 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 5.5 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 18000 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 90

Корпус транзистора: SOT343F

 Аналоги (замена) для BFU690F

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFU690F даташит

 ..1. Size:107K  philips
 bfu690f.pdf pdf_icon

BFU690F

BFU690F NPN wideband silicon RF transistor Rev. 1 16 December 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN silicon microwave transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package. CAUTION This device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Observe precautions for handling electrostatic sensitive devices

 ..2. Size:132K  nxp
 bfu690f.pdf pdf_icon

BFU690F

BFU690F NPN wideband silicon RF transistor Rev. 2 14 March 2014 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN silicon microwave transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package. 1.2 Features and benefits Low noise high linearity microwave transistor High output third-order intercept point 34 dBm at 1.8 G

Другие транзисторы: BFR94AW, BFS20W, BFS505, BFT25A, BFT93W, BFU610F, BFU630F, BFU660F, 2SD718, BFU710F, BFU725F, BFU730F, BFU760F, BFU790F, BUJ100, BUJ100LR, BUJ103A