Биполярный транзистор BFU760F - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BFU760F
Маркировка: D7*
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.22 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 10 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 2.8 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 45000 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 155
Корпус транзистора: SOT343F
BFU760F Datasheet (PDF)
bfu760f.pdf
BFU760FNPN wideband silicon germanium RF transistorRev. 1 29 April 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN silicon germanium microwave transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package.CAUTIONThis device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Observe precautions for handling electrostatic
bfu768f.pdf
BFU768FNPN wideband silicon germanium RF transistorRev. 1.2 24 December 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN silicon germanium microwave transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package.CAUTIONThis device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Observe precautions for handling electrost
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050