Справочник транзисторов. BFU760F

 

Биполярный транзистор BFU760F Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BFU760F
   Маркировка: D7*
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.22 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 10 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 2.8 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 45000 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 155
   Корпус транзистора: SOT343F
 

 Аналог (замена) для BFU760F

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFU760F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:121K  nxp
 bfu760f.pdf pdf_icon

BFU760F

BFU760FNPN wideband silicon germanium RF transistorRev. 1 29 April 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN silicon germanium microwave transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package.CAUTIONThis device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Observe precautions for handling electrostatic

 9.1. Size:163K  nxp
 bfu768f.pdf pdf_icon

BFU760F

BFU768FNPN wideband silicon germanium RF transistorRev. 1.2 24 December 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN silicon germanium microwave transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package.CAUTIONThis device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Observe precautions for handling electrost

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: BFV47

 

 
Back to Top

 


 
.