PBLS2024D datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: PBLS2024D 📄📄
Маркировка: KD
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.8 A
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 130 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60
Корпус транзистора: SC74
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для PBLS2024D
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
PBLS2024D даташит
pbls2024d.pdf
PBLS2024D 20 V, 1.8 A PNP BISS loadswitch Rev. 02 6 September 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor and NPN Resistor- Equipped Transistor (RET) in a SOT457 (SC-74) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 1.2 Features Low VCEsat (BISS) and resistor-equipped transistor in one packa
pbls2022d.pdf
PBLS2022D 20 V, 1.8 A PNP BISS loadswitch Rev. 02 6 September 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor and NPN Resistor- Equipped Transistor (RET) in a SOT457 (SC-74) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 1.2 Features Low VCEsat (BISS) and resistor-equipped transistor in one packa
pbls2023d.pdf
PBLS2023D 20 V, 1.8 A PNP BISS loadswitch Rev. 02 6 September 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor and NPN Resistor- Equipped Transistor (RET) in a SOT457 (SC-74) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 1.2 Features Low VCEsat (BISS) and resistor-equipped transistor in one packa
pbls2021d.pdf
PBLS2021D 20 V, 1.8 A PNP BISS loadswitch Rev. 02 6 September 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor and NPN Resistor- Equipped Transistor (RET) in a SOT457 (SC-74) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 1.2 Features Low VCEsat (BISS) and resistor-equipped transistor in one packa
Другие транзисторы: PBLS2002D, PBLS2002S, PBLS2003D, PBLS2003S, PBLS2004D, PBLS2021D, PBLS2022D, PBLS2023D, S8050, PBLS4001D, PBLS4001V, PBLS4001Y, PBLS4002D, PBLS4002V, PBLS4002Y, PBLS4003D, PBLS4003V
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
bc239 | 2sc3264 | mp38a | bc546 transistor | bd243 | 2sk170 datasheet | 2n7000 equivalent | tip31




