PBLS6002D datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: PBLS6002D 📄📄
Маркировка: F2
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 4.7 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30
Корпус транзистора: SC74
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для PBLS6002D
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
PBLS6002D даташит
pbls6002d.pdf
PBLS6002D 60 V PNP BISS loadswitch Rev. 02 7 September 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor and NPN Resistor-Equipped Transistor (RET) in a SOT457 (SC-74) small Surface Mounted Device (SMD) plastic package. 1.2 Features Low VCEsat (BISS) transistor and resistor-equipped transistor in one pa
pbls6003d.pdf
PBLS6003D 60 V PNP BISS loadswitch Rev. 02 7 September 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor and NPN Resistor-Equipped Transistor (RET) in a SOT457 (SC-74) small Surface Mounted Device (SMD) plastic package. 1.2 Features Low VCEsat (BISS) transistor and resistor-equipped transistor in one pa
pbls6004d.pdf
PBLS6004D 60 V PNP BISS loadswitch Rev. 02 7 September 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor and NPN Resistor-Equipped Transistor (RET) in a SOT457 (SC-74) small Surface Mounted Device (SMD) plastic package. 1.2 Features Low VCEsat (BISS) transistor and resistor-equipped transistor in one pa
pbls6005d.pdf
PBLS6005D 60 V PNP BISS loadswitch Rev. 02 7 September 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor and NPN Resistor-Equipped Transistor (RET) in a SOT457 (SC-74) small Surface Mounted Device (SMD) plastic package. 1.2 Features Low VCEsat (BISS) transistor and resistor-equipped transistor in one pa
Другие транзисторы: PBLS4003Y, PBLS4004D, PBLS4004V, PBLS4004Y, PBLS4005D, PBLS4005V, PBLS4005Y, PBLS6001D, 2SD1047, PBLS6003D, PBLS6004D, PBLS6005D, PBLS6021D, PBLS6022D, PBLS6023D, PBLS6024D, PBR941
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
a970 transistor | 2sb560 | tip31c transistor equivalent | 2sc1815 datasheet | mj15015 | 13003 transistor datasheet | 2n3416 | bdx53c





