PBLS6021D datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: PBLS6021D 📄📄
Маркировка: KE
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 2.2 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30
Корпус транзистора: SC74
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для PBLS6021D
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
PBLS6021D даташит
pbls6021d.pdf
PBLS6021D 60 V, 1.5 A PNP BISS loadswitch Rev. 01 12 August 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor and NPN Resistor- Equipped Transistor (RET) in a SOT457 (SC-74) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 1.2 Features Low VCEsat (BISS) and resistor-equipped transistor in one package
pbls6022d.pdf
PBLS6022D 60 V, 1.5 A PNP BISS loadswitch Rev. 01 13 August 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor and NPN Resistor- Equipped Transistor (RET) in a SOT457 (SC-74) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 1.2 Features Low VCEsat (BISS) and resistor-equipped transistor in one package
pbls6024d.pdf
PBLS6024D 60 V, 1.5 A PNP BISS loadswitch Rev. 01 14 August 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor and NPN Resistor- Equipped Transistor (RET) in a SOT457 (SC-74) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 1.2 Features Low VCEsat (BISS) and resistor-equipped transistor in one package
pbls6023d.pdf
PBLS6023D 60 V, 1.5 A PNP BISS loadswitch Rev. 01 13 August 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor and NPN Resistor- Equipped Transistor (RET) in a SOT457 (SC-74) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 1.2 Features Low VCEsat (BISS) and resistor-equipped transistor in one package
Другие транзисторы: PBLS4005D, PBLS4005V, PBLS4005Y, PBLS6001D, PBLS6002D, PBLS6003D, PBLS6004D, PBLS6005D, A733, PBLS6022D, PBLS6023D, PBLS6024D, PBR941, PBR941B, PBR951, PBRN113ET, PBRN113ZT
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
History: ME8003 | U2TG406 | ME8002 | PBLS6022D
🌐 : EN
ES
РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mj15015 | 13003 transistor datasheet | 2n3416 | bdx53c | k3563 | d882p | 2sb1560 | 2n1304




