Справочник транзисторов. PBRN123ET

 

Биполярный транзистор PBRN123ET Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PBRN123ET
   Маркировка: *7J_-7J_p7J_t7J_W7J
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 2.2 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для PBRN123ET

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBRN123ET Datasheet (PDF)

 6.1. Size:152K  nxp
 pbrn123es pbrn123e pbrn123ek.pdf pdf_icon

PBRN123ET

PBRN123E seriesNPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 2.2 k, R2 = 2.2 kRev. 01 27 February 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General description800 mA NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Resistor-EquippedTransistors (RET) family in small plastic packages.Table 1. Product overviewType number PackageNXP JEITA JEDECPBRN123EK SOT346 SC-59A TO-236P

 6.2. Size:148K  nxp
 pbrn123e.pdf pdf_icon

PBRN123ET

PBRN123E seriesNPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 2.2 k, R2 = 2.2 kRev. 01 27 February 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General description800 mA NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Resistor-EquippedTransistors (RET) family in small plastic packages.Table 1. Product overviewType number PackageNXP JEITA JEDECPBRN123EK SOT346 SC-59A TO-236P

 7.1. Size:154K  nxp
 pbrn123ys pbrn123y pbrn123yk.pdf pdf_icon

PBRN123ET

PBRN123Y seriesNPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 2.2 k, R2 = 10 kRev. 01 27 February 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General description800 mA NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Resistor-EquippedTransistors (RET) family in small plastic packages.Table 1. Product overviewType number PackageNXP JEITA JEDECPBRN123YK SOT346 SC-59A TO-236PB

 7.2. Size:150K  nxp
 pbrn123y.pdf pdf_icon

PBRN123ET

PBRN123Y seriesNPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 2.2 k, R2 = 10 kRev. 01 27 February 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General description800 mA NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Resistor-EquippedTransistors (RET) family in small plastic packages.Table 1. Product overviewType number PackageNXP JEITA JEDECPBRN123YK SOT346 SC-59A TO-236PB

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... PBLS6022D , PBLS6023D , PBLS6024D , PBR941 , PBR941B , PBR951 , PBRN113ET , PBRN113ZT , 8050 , PBRN123YT , PBRP113ET , PBRP113ZT , PBRP123ET , PBRP123YT , PBSS2515E , PBSS2515M , PBSS2515VPN .

History: MJE15030 | KSE170 | BF263 | NKT304 | NTE2558 | GET5307 | BLU20-12

 

 
Back to Top

 


 
.