PBRN123ET datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PBRN123ET  📄📄 

Маркировка: *7J_-7J_p7J_t7J_W7J

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 2.2 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: SOT23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PBRN123ET

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBRN123ET даташит

 6.1. Size:152K  nxp
 pbrn123es pbrn123e pbrn123ek.pdf pdf_icon

PBRN123ET

PBRN123E series NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 2.2 k , R2 = 2.2 k Rev. 01 27 February 2007 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 800 mA NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Resistor-Equipped Transistors (RET) family in small plastic packages. Table 1. Product overview Type number Package NXP JEITA JEDEC PBRN123EK SOT346 SC-59A TO-236 P

 6.2. Size:148K  nxp
 pbrn123e.pdf pdf_icon

PBRN123ET

PBRN123E series NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 2.2 k , R2 = 2.2 k Rev. 01 27 February 2007 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 800 mA NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Resistor-Equipped Transistors (RET) family in small plastic packages. Table 1. Product overview Type number Package NXP JEITA JEDEC PBRN123EK SOT346 SC-59A TO-236 P

 7.1. Size:154K  nxp
 pbrn123ys pbrn123y pbrn123yk.pdf pdf_icon

PBRN123ET

PBRN123Y series NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 2.2 k , R2 = 10 k Rev. 01 27 February 2007 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 800 mA NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Resistor-Equipped Transistors (RET) family in small plastic packages. Table 1. Product overview Type number Package NXP JEITA JEDEC PBRN123YK SOT346 SC-59A TO-236 PB

 7.2. Size:150K  nxp
 pbrn123y.pdf pdf_icon

PBRN123ET

PBRN123Y series NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 2.2 k , R2 = 10 k Rev. 01 27 February 2007 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 800 mA NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Resistor-Equipped Transistors (RET) family in small plastic packages. Table 1. Product overview Type number Package NXP JEITA JEDEC PBRN123YK SOT346 SC-59A TO-236 PB

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: PBLS6022D, PBLS6023D, PBLS6024D, PBR941, PBR941B, PBR951, PBRN113ET, PBRN113ZT, BC546, PBRN123YT, PBRP113ET, PBRP113ZT, PBRP123ET, PBRP123YT, PBSS2515E, PBSS2515M, PBSS2515VPN