Биполярный транзистор PBRN123ET Даташит. Аналоги
Наименование производителя: PBRN123ET
Маркировка: *7J_-7J_p7J_t7J_W7J
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 2.2 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: SOT23
- подбор биполярного транзистора по параметрам
PBRN123ET Datasheet (PDF)
pbrn123es pbrn123e pbrn123ek.pdf

PBRN123E seriesNPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 2.2 k, R2 = 2.2 kRev. 01 27 February 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General description800 mA NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Resistor-EquippedTransistors (RET) family in small plastic packages.Table 1. Product overviewType number PackageNXP JEITA JEDECPBRN123EK SOT346 SC-59A TO-236P
pbrn123e.pdf

PBRN123E seriesNPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 2.2 k, R2 = 2.2 kRev. 01 27 February 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General description800 mA NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Resistor-EquippedTransistors (RET) family in small plastic packages.Table 1. Product overviewType number PackageNXP JEITA JEDECPBRN123EK SOT346 SC-59A TO-236P
pbrn123ys pbrn123y pbrn123yk.pdf

PBRN123Y seriesNPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 2.2 k, R2 = 10 kRev. 01 27 February 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General description800 mA NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Resistor-EquippedTransistors (RET) family in small plastic packages.Table 1. Product overviewType number PackageNXP JEITA JEDECPBRN123YK SOT346 SC-59A TO-236PB
pbrn123y.pdf

PBRN123Y seriesNPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 2.2 k, R2 = 10 kRev. 01 27 February 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General description800 mA NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Resistor-EquippedTransistors (RET) family in small plastic packages.Table 1. Product overviewType number PackageNXP JEITA JEDECPBRN123YK SOT346 SC-59A TO-236PB
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
History: SBC328 | 2SC1757E | MP4051 | D43C8 | 2SC1727 | CPH5520 | ZTX503M
History: SBC328 | 2SC1757E | MP4051 | D43C8 | 2SC1727 | CPH5520 | ZTX503M



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc4793 | d965 | mje15031 | irfp150n | mj15025 | mp1620 | kta1381 | bf494