PBSS2515VS datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PBSS2515VS  📄📄 

Маркировка: N9

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT666

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PBSS2515VS

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS2515VS даташит

 ..1. Size:142K  philips
 pbss2515vs.pdf pdf_icon

PBSS2515VS

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D744 PBSS2515VS 15 V low VCE(sat) NPN double transistor Product data sheet 2004 Dec 23 Supersedes data of 2001 Nov 07 NXP Semiconductors Product data sheet 15 V low VCE(sat) NPN double transistor PBSS2515VS FEATURES QUICK REFERENCE DATA 300 mW total power dissipation SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT Very small 1.6 1.2 mm ultra thin pac

 ..2. Size:348K  nxp
 pbss2515vs.pdf pdf_icon

PBSS2515VS

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

 5.1. Size:84K  nxp
 pbss2515vpn.pdf pdf_icon

PBSS2515VS

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D744 PBSS2515VPN 15 V low VCEsat NPN/PNP transistor Product specification 2001 Nov 07 Supersedes data of 2001 Aug 31 Philips Semiconductors Product specification 15 V low VCEsat NPN/PNP transistor PBSS2515VPN FEATURES QUICK REFERENCE DATA 300 mW total power dissipation SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT Very small 1.6 x 1.2 mm ultra thin packa

 6.1. Size:65K  philips
 pbss2515f 1.pdf pdf_icon

PBSS2515VS

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D425 PBSS2515F NPN transistor Product specification 2000 Oct 25 Philips Semiconductors Product specification NPN transistor PBSS2515F FEATURES PINNING Low VCEsat PIN DESCRIPTION High current capabilities. 1 base 2 emitter APPLICATIONS 3 collector Heavy duty battery powered equipment (automotive, telecom and audio video) such as

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: PBRN123YT, PBRP113ET, PBRP113ZT, PBRP123ET, PBRP123YT, PBSS2515E, PBSS2515M, PBSS2515VPN, 2SC2625, PBSS2515YPN, PBSS2540E, PBSS2540M, PBSS301ND, PBSS301NX, PBSS301NZ, PBSS301PD, PBSS301PX