Справочник транзисторов. PBSS2515YPN

 

Биполярный транзистор PBSS2515YPN Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PBSS2515YPN
   Маркировка: N8*
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN*PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.4 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SOT363
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS2515YPN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:99K  nxp
pbss2515ypn.pdfpdf_icon

PBSS2515YPN

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETdbook, halfpageMBD128PBSS2515YPN15 V low VCE(sat) NPN/PNP transistorProduct data sheet 2005 Jan 11Supersedes data of 2002 May 08NXP Semiconductors Product data sheet15 V low VCE(sat) NPN/PNP transistorPBSS2515YPNFEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltageSYMBOL PARAMETER MAX. UNIT High current cap

 6.1. Size:65K  philips
pbss2515f 1.pdfpdf_icon

PBSS2515YPN

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D425PBSS2515FNPN transistorProduct specification 2000 Oct 25Philips Semiconductors Product specificationNPN transistor PBSS2515FFEATURES PINNING Low VCEsatPIN DESCRIPTION High current capabilities.1 base2 emitterAPPLICATIONS3 collector Heavy duty battery powered equipment (automotive,telecom and audio video) such as

 6.2. Size:142K  philips
pbss2515vs.pdfpdf_icon

PBSS2515YPN

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETM3D744PBSS2515VS15 V low VCE(sat) NPN double transistorProduct data sheet 2004 Dec 23Supersedes data of 2001 Nov 07NXP Semiconductors Product data sheet15 V low VCE(sat) NPN double transistorPBSS2515VSFEATURES QUICK REFERENCE DATA 300 mW total power dissipationSYMBOL PARAMETER MAX. UNIT Very small 1.6 1.2 mm ultra thin pac

 6.3. Size:120K  philips
pbss2515e.pdfpdf_icon

PBSS2515YPN

PBSS2515E15 V, 0.5 A NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 21 April 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in an ultra smallSOT416 (SC-75) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBSS3515E.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collecto

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

History: MP8212 | BFX34SMD05

 

 
Back to Top

 


 
.