Биполярный транзистор PBSS301PD Даташит. Аналоги
Наименование производителя: PBSS301PD
Маркировка: C8
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 80 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 250
Корпус транзистора: SOT457 SC74
- подбор биполярного транзистора по параметрам
PBSS301PD Datasheet (PDF)
pbss301pd.pdf

PBSS301PD20 V, 4 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 03 17 December 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT457 (SC-74)Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBSS301ND.1.2 Features Very low collector-emitter saturation resistance Ultra low collector-emit
pbss301pd.pdf

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain
pbss301pz.pdf

PBSS301PZ12 V, 5.7 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 17 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBSS301NZ.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector c
pbss301px.pdf

PBSS301PX12 V, 5.3 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 17 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT89 (SC-62/TO-243) small and flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBSS301NX.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsa
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
History: HS5810 | 2DI50M-050 | 2SC743 | D33J24 | MMBT4401W | 9011I | KT8121A-2
History: HS5810 | 2DI50M-050 | 2SC743 | D33J24 | MMBT4401W | 9011I | KT8121A-2



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc1400 replacement | 2sb817 | mn2488 datasheet | c2026 transistor | 2n3903 transistor | 2n4360 | 2n2613 | c2166 transistor