PBSS301PD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PBSS301PD  📄📄 

Маркировка: C8

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 80 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 250

Корпус транзистора: SOT457 SC74

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PBSS301PD

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS301PD даташит

 ..1. Size:128K  philips
 pbss301pd.pdf pdf_icon

PBSS301PD

PBSS301PD 20 V, 4 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 03 17 December 2007 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement PBSS301ND. 1.2 Features Very low collector-emitter saturation resistance Ultra low collector-emit

 ..2. Size:245K  nxp
 pbss301pd.pdf pdf_icon

PBSS301PD

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

 6.1. Size:152K  nxp
 pbss301pz.pdf pdf_icon

PBSS301PD

PBSS301PZ 12 V, 5.7 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 02 17 November 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement PBSS301NZ. 1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector c

 6.2. Size:176K  nxp
 pbss301px.pdf pdf_icon

PBSS301PD

PBSS301PX 12 V, 5.3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 02 17 November 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT89 (SC-62/TO-243) small and flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement PBSS301NX. 1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsa

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: PBSS2515VPN, PBSS2515VS, PBSS2515YPN, PBSS2540E, PBSS2540M, PBSS301ND, PBSS301NX, PBSS301NZ, A1013, PBSS301PX, PBSS301PZ, PBSS302ND, PBSS302NX, PBSS302NZ, PBSS302PD, PBSS302PX, PBSS302PZ