PBSS304PX. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PBSS304PX

Маркировка: *5L

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 130 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 90 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для PBSS304PX

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS304PX даташит

 ..1. Size:198K  nxp
 pbss304px.pdf pdf_icon

PBSS304PX

PBSS304PX 60 V, 4.2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 02 8 December 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT89 (SC-62/TO-243) small and flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement PBSS304NX. 1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

 ..2. Size:1225K  slkor
 pbss304px.pdf pdf_icon

PBSS304PX

PBSS304PX 60V PNP LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR SOT89 Features BVCEO > -60V E IC = -4.3A high continuous current RSAT = 32m for a low equivalent On-Resistance C Low saturation voltage VCE(sat)

 6.1. Size:129K  philips
 pbss304pd.pdf pdf_icon

PBSS304PX

PBSS304PD 80 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 02 24 March 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT457 (SC-74) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement PBSS304ND. 1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector current

 6.2. Size:122K  nxp
 pbss304pd.pdf pdf_icon

PBSS304PX

PBSS304PD 80 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 02 24 March 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT457 (SC-74) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement PBSS304ND. 1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector current

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: PBSS303NZ, PBSS303PD, PBSS303PX, PBSS303PZ, PBSS304ND, PBSS304NX, PBSS304NZ, PBSS304PD, 2SD669, PBSS304PZ, PBSS305ND, PBSS305NX, PBSS305NZ, PBSS305PD, PBSS305PX, PBSS305PZ, PBSS306NX