Биполярный транзистор PBSS304PZ - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: PBSS304PZ
Маркировка: S304PZ
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 130 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 90 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: SOT223
Аналоги (замена) для PBSS304PZ
PBSS304PZ Datasheet (PDF)
pbss304pz.pdf
PBSS304PZ60 V, 4.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 8 December 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBSS304NZ.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector cu
pbss304pd.pdf
PBSS304PD80 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 24 March 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT457 (SC-74)small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBSS304ND.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector current
pbss304pd.pdf
PBSS304PD80 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 24 March 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT457 (SC-74)small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBSS304ND.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector current
pbss304px.pdf
PBSS304PX60 V, 4.2 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 8 December 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT89 (SC-62/TO-243) small and flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBSS304NX.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
pbss304px.pdf
PBSS304PX60V PNP LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTORSOT89 Features BVCEO > -60V E IC = -4.3A high continuous current RSAT = 32m for a low equivalent On-Resistance C Low saturation voltage VCE(sat)
Другие транзисторы... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , 2SA1015 , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .
