PBSS4032ND - описание и поиск аналогов

 

Аналоги PBSS4032ND. Основные параметры


   Наименование производителя: PBSS4032ND
   Маркировка: ZF
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 135 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 44 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
   Корпус транзистора: SOT457 SC74

 Аналоги (замена) для PBSS4032ND

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS4032ND даташит

 ..1. Size:150K  philips
pbss4032nd.pdfpdf_icon

PBSS4032ND

PBSS4032ND 30 V, 3.5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Rev. 01 30 January 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT457 (SC-74) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement PBSS4032PD. 1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat Optimized switc

 ..2. Size:267K  nxp
pbss4032nd.pdfpdf_icon

PBSS4032ND

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

 5.1. Size:182K  philips
pbss4032nt.pdfpdf_icon

PBSS4032ND

PBSS4032NT 30 V, 2.6 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Rev. 01 18 December 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement PBSS4032PT. 1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat Optimized sw

 5.2. Size:196K  philips
pbss4032nz.pdfpdf_icon

PBSS4032ND

PBSS4032NZ 30 V, 4.9 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Rev. 01 31 March 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power SOT223 (SC-73) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement PBSS4032PZ. 1.2 Features and benefits Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

Другие транзисторы... PBSS306PZ , PBSS3515E , PBSS3515M , PBSS3515VS , PBSS3540E , PBSS3540M , PBSS4021NT , PBSS4021PT , BD222 , PBSS4032NT , PBSS4032PD , PBSS4032PT , PBSS4041NT , PBSS4041PT , PBSS4120T , PBSS4130T , PBSS4140DPN .

 

 
Back to Top

 


 
.