Аналоги PBSS4032PD. Основные параметры
Наименование производителя: PBSS4032PD
Маркировка: ZG
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.7 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 104 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 59 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: SOT457 SC74
Аналоги (замена) для PBSS4032PD
PBSS4032PD даташит
pbss4032pd.pdf
PBSS4032PD 30 V, 2.7 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 01 27 January 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT457 (SC-74) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement PBSS4032ND. 1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat Optimized switc
pbss4032pd.pdf
Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain
pbss4032pt.pdf
PBSS4032PT 30 V, 2.4 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 01 18 December 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement PBSS4032NT. 1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat Optimized sw
pbss4032pz.pdf
PBSS4032PZ 30 V, 4.4 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 01 31 March 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power SOT223 (SC-73) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement PBSS4032NZ. 1.2 Features and benefits Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
Другие транзисторы... PBSS3515M , PBSS3515VS , PBSS3540E , PBSS3540M , PBSS4021NT , PBSS4021PT , PBSS4032ND , PBSS4032NT , 2SC5200 , PBSS4032PT , PBSS4041NT , PBSS4041PT , PBSS4120T , PBSS4130T , PBSS4140DPN , PBSS4140T , PBSS4140U .
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
tip73 | 2n3392 | 2n2369a | 2sc733 | a933 transistor | d209l | irfb4321 | 2n333









