PBSS4140DPN datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: PBSS4140DPN 📄📄
Маркировка: M2
Тип материала: Si
Полярность: NPN*PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для PBSS4140DPN
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
PBSS4140DPN даташит
pbss4140dpn.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET dbook, halfpage M3D302 PBSS4140DPN 40 V low VCEsat NPN/PNP transistor Product data sheet 2001 Dec 13 NXP Semiconductors Product data sheet 40 V low VCEsat NPN/PNP transistor PBSS4140DPN FEATURES QUICK REFERENCE DATA 600 mW total power dissipation SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT Low collector-emitter saturation voltage VCEO collector-emitt
pbss4140dpn.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET dbook, halfpage M3D302 PBSS4140DPN 40 V low VCEsat NPN/PNP transistor Product data sheet 2001 Dec 13 NXP Semiconductors Product data sheet 40 V low VCEsat NPN/PNP transistor PBSS4140DPN FEATURES QUICK REFERENCE DATA 600 mW total power dissipation SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT Low collector-emitter saturation voltage VCEO collector-emitt
pbss4140t.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PBSS4140T 40 V, 1A NPN low VCEsat (BISS) transistor Product data sheet 2005 Feb 24 Supersedes data of 2005 Feb 14 NXP Semiconductors Product data sheet 40 V, 1A PBSS4140T NPN low VCEsat (BISS) transistor FEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltage SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT High current capabilities. VCEO
pbss4140u.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET dbook, halfpage M3D102 PBSS4140U 40 V low VCEsat NPN transistor Product data sheet 2001 Jul 13 Supersedes data of 2001 Mar 27 NXP Semiconductors Product data sheet 40 V low VCEsat NPN transistor PBSS4140U FEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltage SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT High current capabilities. VCEO
Другие транзисторы: PBSS4032ND, PBSS4032NT, PBSS4032PD, PBSS4032PT, PBSS4041NT, PBSS4041PT, PBSS4120T, PBSS4130T, C945, PBSS4140T, PBSS4140U, PBSS4140V, PBSS4160DPN, PBSS4160DS, PBSS4160T, PBSS4160U, PBSS4160V
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
History: 2SC4204 | AFY60 | 2SC4200
🌐 : EN
ES
РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irfb4321 | 2n333 | c3852 | irfp140 | ksc2383 datasheet | 2n3906 equivalent | a733 transistor equivalent | 2n5401 transistor datasheet








