Справочник транзисторов. PBSS4140T

 

Биполярный транзистор PBSS4140T Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PBSS4140T
   Маркировка: ZT*
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
   Корпус транзистора: SOT23
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS4140T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:258K  philips
pbss4140t.pdfpdf_icon

PBSS4140T

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPBSS4140T40 V, 1A NPN low VCEsat (BISS) transistorProduct data sheet 2005 Feb 24Supersedes data of 2005 Feb 14NXP Semiconductors Product data sheet40 V, 1A PBSS4140TNPN low VCEsat (BISS) transistorFEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltageSYMBOL PARAMETER MAX. UNIT High current capabilities.VCEO

 ..2. Size:470K  nxp
pbss4140t.pdfpdf_icon

PBSS4140T

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

 6.1. Size:259K  philips
pbss4140u.pdfpdf_icon

PBSS4140T

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETdbook, halfpageM3D102PBSS4140U40 V low VCEsat NPN transistorProduct data sheet 2001 Jul 13Supersedes data of 2001 Mar 27 NXP Semiconductors Product data sheet40 V low VCEsat NPN transistorPBSS4140UFEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltageSYMBOL PARAMETER MAX. UNIT High current capabilities.VCEO

 6.2. Size:342K  philips
pbss4140dpn.pdfpdf_icon

PBSS4140T

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETdbook, halfpageM3D302PBSS4140DPN40 V low VCEsat NPN/PNP transistorProduct data sheet 2001 Dec 13NXP Semiconductors Product data sheet40 V low VCEsat NPN/PNP transistorPBSS4140DPNFEATURES QUICK REFERENCE DATA 600 mW total power dissipationSYMBOL PARAMETER MAX. UNIT Low collector-emitter saturation voltageVCEO collector-emitt

Другие транзисторы... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , D667 , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .

History: MRF571 | 2SD1197 | S8050LT1 | MRF323 | UMB6N | KTC4347 | CD1984

 

 
Back to Top

 


 
.