PBSS4140U datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PBSS4140U  📄📄 

Маркировка: 41t

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 300

Корпус транзистора: SOT323

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PBSS4140U

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS4140U даташит

 ..1. Size:259K  philips
pbss4140u.pdfpdf_icon

PBSS4140U

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET dbook, halfpage M3D102 PBSS4140U 40 V low VCEsat NPN transistor Product data sheet 2001 Jul 13 Supersedes data of 2001 Mar 27 NXP Semiconductors Product data sheet 40 V low VCEsat NPN transistor PBSS4140U FEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltage SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT High current capabilities. VCEO

 ..2. Size:466K  nxp
pbss4140u.pdfpdf_icon

PBSS4140U

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

 6.1. Size:258K  philips
pbss4140t.pdfpdf_icon

PBSS4140U

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PBSS4140T 40 V, 1A NPN low VCEsat (BISS) transistor Product data sheet 2005 Feb 24 Supersedes data of 2005 Feb 14 NXP Semiconductors Product data sheet 40 V, 1A PBSS4140T NPN low VCEsat (BISS) transistor FEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltage SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT High current capabilities. VCEO

 6.2. Size:342K  philips
pbss4140dpn.pdfpdf_icon

PBSS4140U

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET dbook, halfpage M3D302 PBSS4140DPN 40 V low VCEsat NPN/PNP transistor Product data sheet 2001 Dec 13 NXP Semiconductors Product data sheet 40 V low VCEsat NPN/PNP transistor PBSS4140DPN FEATURES QUICK REFERENCE DATA 600 mW total power dissipation SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT Low collector-emitter saturation voltage VCEO collector-emitt

Другие транзисторы: PBSS4032PD, PBSS4032PT, PBSS4041NT, PBSS4041PT, PBSS4120T, PBSS4130T, PBSS4140DPN, PBSS4140T, 2N5401, PBSS4140V, PBSS4160DPN, PBSS4160DS, PBSS4160T, PBSS4160U, PBSS4160V, PBSS4220V, PBSS4230T